1、走进莫特-肖特基的智慧 另一种突破困境的方法是借助电化学的莫特-肖特基（Mott-Schottky，简称M-S）效应。当M-S曲线的切线斜率为正值，表明样品为n型半导体，此时计算得出的平带电位Efb，通常位于导带Ecb下方，大约在0.1-0.3电子伏（eV）的范围内。
2、影响半导体功函数的因素众多，例如内部电子的热激发、机械应力、费米能级的位置、禁带宽度、表面状态，以及环境温度和电场效应。
3、都可以。为保险起见，最好是将肖特基二极管并联或串联使用，以便略微分散应力。莫特-肖特基（Mott-Schottky）技术是指在同一频率下从初始电位到最终电位按照阶跃电位大小进行扫描的一项技术。
4、莫特-肖特基方程是一个数学方程，该方程描述了半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系。
5、负移：当平带电位向负方向移动时，表示半导体材料的导电性能降低，电子更难从价带跃迁到导带，从而降低了材料的电导率。在实际应用中，负移通常被认为是不利的，因为它会降低半导体器件的性能。总之，在莫特肖特基曲线中，平带电位的正移通常被认为是好的，因为它可以提高半导体器件的性能。
6、肖脱基缺陷 由于热运动，晶体中阳离子及阴离子脱离平衡位置，跑到晶体表面或晶界位置上，构成一层新的界面，而产生阳离子空位及阴离子空位，不过，这些阳离子空位与阴离子空位是符合晶体化学计量比的。如：MgO晶体中，形成Mg2+和O2-空位数相等。
1、另一种突破困境的方法是借助电化学的莫特-肖特基（Mott-Schottky，简称M-S）效应。当M-S曲线的切线斜率为正值，表明样品为n型半导体，此时计算得出的平带电位Efb，通常位于导带Ecb下方，大约在0.1-0.3电子伏（eV）的范围内。结合固体紫外光谱测量的带隙，我们就能计算出相应的价带值Evb。
2、表面状态分为施主和受主类型，它们在半导体能带中扮演着不可忽视的角色。高表面态密度时，势垒高度受表面性质主导，如钉扎效应所示。而在金半接触中，表面态密度的高低对势垒的影响显著不同。
3、莫特肖特p型n型看载流子，前面是正为p型，负为n型。载流子类型的判断实验上是通过霍尔效应来判断，通过测量得到的霍尔系数，系数大于0是p型，反之n型。载流子在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位被视为载流子。
4、在莫特肖特基测试中，样品与参比电极之间施加一定的电压，测量样品与参比电极之间的电流，以及电流与电压之间的关系。对于p型半导体，在正向电压下，电流随电压的增加而增加，而在负向电压下，电流几乎为零；对于n型半导体，在正向电压下，电流随电压的增加而增加，但在负向电压下，电流迅速增加。
5、负移：当平带电位向负方向移动时，表示半导体材料的导电性能降低，电子更难从价带跃迁到导带，从而降低了材料的电导率。在实际应用中，负移通常被认为是不利的，因为它会降低半导体器件的性能。总之，在莫特肖特基曲线中，平带电位的正移通常被认为是好的，因为它可以提高半导体器件的性能。
相反，如果切线斜率为负，意味着样品为p型半导体，此时Efb会位于价带Ecb之上，计算出的数值会相应减小。当正负斜率同时存在，可能暗示样品内部存在PN结异质结构。数据处理的艺术：解读M-S曲线 虽然不同方法得出的价带数值可能存在差异，这是正常现象，关键在于根据实际样品特性及审稿人的要求做出明智选择。
名词解释如下：导带是由自由电子形成的能量空间，即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。价带：价带（valence band）或称价电带，通常是指半导体或绝缘体中，在0K时能被电子占满的最高能带。禁带：英文名为Forbidden Band，在能带结构中能态密度为零的能量区间。
价带：处在原子轨道中并呈键合状态的电子称为价电子。由这些价电子所占有的许多能级可加以归并并视为一个单一的连续的能量范围。这种由已充满电子的原子轨道能级所形成的低能量带称为能级的价带（满带）。导带：导带（conduction band）是由自由电子形成的能量空间。
价带[1]（valenceband）或称价电带，通常是指半导体或绝缘体中，在0K时能被电子占满的最高能带。对半导体而言，此能带中的能级基本上是连续的。全充满的能带中的电子不能在固体中自由运动。
价带（band）是指在固体材料中的电子能量带，其中包含了能量范围内的电子态。价带通常与导带相邻，其中价带上的电子被束缚在原子中，而导带上的电子则可以自由移动。导带（conduction band）是指在固体材料中的电子能量带，其中包含了能量范围内的自由电子态。
1、另一种突破困境的方法是借助电化学的莫特-肖特基（Mott-Schottky，简称M-S）效应。当M-S曲线的切线斜率为正值，表明样品为n型半导体，此时计算得出的平带电位Efb，通常位于导带Ecb下方，大约在0.1-0.3电子伏（eV）的范围内。结合固体紫外光谱测量的带隙，我们就能计算出相应的价带值Evb。
2、观察电流和电压的关系。根据查询百度文库得知，莫特肖特基是一种用于判断半导体材料类型（p型或n型）的方法。在莫特肖特基测试中，样品与参比电极之间施加一定的电压，测量样品与参比电极之间的电流，以及电流与电压之间的关系。
3、M-S测试（莫特肖特基曲线测试），是在一个线性电位扫描过程中叠加一个固定频率的交流阻抗测试，这个交流频率一般选择5-20kHz，严格讲，不同样品可以先测试不同频率的情况，一般选择5kHz。
走进莫特-肖特基的智慧 另一种突破困境的方法是借助电化学的莫特-肖特基（Mott-Schottky，简称M-S）效应。当M-S曲线的切线斜率为正值，表明样品为n型半导体，此时计算得出的平带电位Efb，通常位于导带Ecb下方，大约在0.1-0.3电子伏（eV）的范围内。
影响半导体功函数的因素众多，例如内部电子的热激发、机械应力、费米能级的位置、禁带宽度、表面状态，以及环境温度和电场效应。
莫特-肖特基方程是一个数学方程，该方程描述了半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系。
莫特肖特基曲线是切施主能级。莫特-肖特基（Mott-Schottky）技术是指在同一频率下从初始电位到最终电位按照阶跃电位大小进行扫描的一项技术，扫描过程中交流信号施加在每一段阶跃电位上。
负移：当平带电位向负方向移动时，表示半导体材料的导电性能降低，电子更难从价带跃迁到导带，从而降低了材料的电导率。在实际应用中，负移通常被认为是不利的，因为它会降低半导体器件的性能。总之，在莫特肖特基曲线中，平带电位的正移通常被认为是好的，因为它可以提高半导体器件的性能。
肖克利根据莫特-肖特基的整流理论，并且在自己的实验结果之基础上，做出了重要的预言。他认为，假如半导体片的厚度与表面空间电荷层厚度相差不多，就有可能用垂直于表面的电场来调制薄膜的电阻率，从而使平行于表面的电流也受到调制。这就是所谓的“场效应”，是以后的场效应管的理论基础。